Vous êtes ici : Accueil > L'UMR > Croissance du GaN : fil ou pyramide ?

Fait marquant

Croissance du GaN : fil ou pyramide ?


​Le groupe "Nanophysique et semi-conducteurs" du CEA-CNRS-UJF étudie la croissance en phase vapeur de nanostructures à base de GaN, y compris les hétérostructures InGaN. En comprenant les mécanismes de croissance, nous pouvons obtenir des structures originales telles que des fils ou des pyramides. Leur intérêt pratique est démontré dans les émetteurs et les photodétecteurs.

Publié le 5 mai 2011

 ​​


Haut de page