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Arpan Deb

Lacunes chargées, étude dans des nano-agrégats de silicium

Publié le 6 mars 2012


Thèse soutenue le 06 mars 2012 pour obtenir le grade de docteur de l'Université de Grenoble - Spécialité : Physique des Matériaux

Résumé :
Ce travail aborde le sujet des défauts chargés dans le silicium. Jusqu'à présent, les défauts chargés ont principalement été étudiés en conditions périodiques (PBC). En effet, l'approche PBC est parfaite pour simuler un solide in ni. Mais, comme je le montre dans ce chapitre, elle apporte aussi des artéfacts. En particulier dans le traitement de l'électrostatique, où des traitements mathématiques importants doivent être utilisés pour supprimer les interactions non désirées entre répliques. Notre approche vise à simuler correctement un défaut chargé, tout en conservant de bonne propriétés pour le matériau massif. Elle consiste à simuler le défaut dans un nano-agrégat. Le traitement de l'électrostatique est correct dans un nano-agrégat et les résultats obtenus peuvent être extrapolés au matériau massif, comme il est montré dans ce chapitre. Les perspectives de cette méthode sont aussi abordées ici.

Jury :
Président : Dr Noël Jakse
Rapporteur : Dr Christophe Delerue
Rapporteur : Dr Guy Treglia
Membre : Dr Guido Roma
Membre :  Dr Damien Caliste
Membre : Dr Thierry Deutsch
Directeur de thèse : Dr Thierry Deutsch
Co-Directeur de thèse : Dr Damien Caliste

Mots clés :
Densité fonctionnelle théorie, Défauts chargés, Nano-agrégats de silicium

Thèse en ligne.