Vous êtes ici : Accueil > Équipe L_SIM > Simulations multi-échelles de la diffusion des défauts dans les semi-conducteurs Si et SiGe

Damien Caliste

Simulations multi-échelles de la diffusion des défauts dans les semi-conducteurs Si et SiGe

Publié le 7 décembre 2005


Thèse soutenue le 07 décembre 2005 pour obtenir le grade de docteur de l'Université de Grenoble - Spécialité : Science et Génie des Matériaux

Résumé :
Le sujet abordé dans ce manuscrit traite de l'étude des défauts ponctuels et de leur rôle dans la diffusion au sein des semi-conducteurs Si et SiGe suivant une approche numérique. Le fait que les changements de concentrations observés dans un cristal à son échelle soient induits par des mouvements à l'échelle atomique, a conduit à une approche multi-échelle.
Le calcul ab initio est un outil adapté à l'exploration des phénomènes inter-atomiques. Couplées à des algorithmes de minimisation des configurations, cet outil donne accès aux états stables et aux états de transition des phénomènes diffusifs. Le mouvement macroscopique est ensuite reproduit par l'utilisation de simulations de Monte Carlo cinétique.
Nous détaillons, dans le présent travail, les coûts énergétiques et les géométries des principaux défauts répertoriés dans Si et SiGe. Il en ressort que la lacune, l'interstitiel dissocié, l'interstitiel hexagonal et le défaut tétra-coordonné sont tous les quatre des défauts de moindre énergie dans ces systèmes. L'étude des mouvements possibles et leurs utilisations dans des simulations de physique thermodynamique, permet de montrer l'existence de plusieurs régimes de diffusion, selon que les médiateurs du mouvement agissent seuls ou de façon coordonnée. Nous donnons l'exemple de la diffusion lacunaire, dont les variations observées s'expliquent par la présence plus ou moins importante de bi-lacunes et par les phénomènes de dissociation en jeu.
Par cette étude, nous mettons en avant la nécessité de combiner, dans le cas de la diffusion, une analyse de l'échelle atomique avec des simulations à des échelles plus macroscopiques.

Jury :
Rapporteur : Monsieur M. Djafari Rouhani
Rapporteur : G. Tréglia
Madame L. Magaud
Monsieur P. Blaise
Monsieur T. Deutsch
Monsieur F. Lançon

Mots clés :
Défaut ponctuel, diffusion, semi-conducteur, silicium, germanium, SiGe, ab initio, Monte Carlo, DFT, LDA, lacune, interstitiel, dissociation, simulation

Thèse en ligne.